Vakuumbeschichtung mit verbessertem Magnetron-Kathodenbogen
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Vakuumbeschichtung mit verbessertem Magnetron-Kathodenbogen
Der verbesserte Magnetron-Kathodenbogen der Edelstahl-Vakuumbeschichtung soll durch Anlegen von Spannung und hohem Strom unter Vakuumbedingungen einen ionischen Zustand bilden, um die Filmabscheidung abzuschließen. Es kann den Lichtbogen auf der Oberfläche des Zielmaterials effektiv steuern, sodass die Materialionisationsrate höher und die Filmleistung besser ist.
Die Beschichtungstechnologie der Edelstahl-Vakuumbeschichtung zur Filterung des kathodischen Lichtbogens ist hauptsächlich mit einem hocheffizienten elektromagnetischen Filtersystem zur Filterung des kathodischen Lichtbogens (FCA) ausgestattet, das verschiedene Partikel im Plasma schnell filtern und dann abscheiden und ionisieren kann. Starke Bindung mit der Matrix.
Es gibt auch eine Edelstahl-Vakuumbeschichtung beim Magnetron-Sputtern, die je nach verwendeter Ionisierungsenergiequelle sowohl Leiter als auch Nichtleiter zu Zielen für das Sputtern machen kann.
Die Oberfläche des vakuumgalvanisierten Isoliertargets ist negativ geladen
Ein Ende der Hochfrequenz-Stromversorgung ist geerdet und das andere Ende ist über ein Anpassungsnetzwerk und einen DC-Sperrkondensator mit der mit dem Isoliertarget ausgestatteten Elektrode verbunden. Nach dem Einschalten der Hochfrequenz-Stromversorgung ändert die Hochfrequenzspannung kontinuierlich ihre Polarität. Elektronen und positive Ionen im Plasma treffen in der positiven bzw. negativen Halbwelle der Spannung auf das isolierende Ziel. Da die Elektronenmobilität höher ist als die positiver Ionen, ist die Oberfläche des isolierenden Targets negativ geladen, und wenn das dynamische Gleichgewicht erreicht ist, befindet sich das Target auf einem negativen Vorspannungspotential, so dass das Sputtern des Targets durch positive Ionen fortgesetzt wird. Der Einsatz von Magnetronsputtern bei der PVD-Vakuumbeschichtung kann die Abscheidungsrate im Vergleich zum Nicht-Magnetronsputtern um fast eine Größenordnung steigern.
Mit dem Hochfrequenz-Sputterverfahren kann ein Isolierfilm durch Vakuumplattieren abgeschieden werden
Die durch die Metallentladung erzeugten positiven Ionen fliegen unter der Wirkung des elektrischen Feldes zur Kathode und kollidieren mit den Atomen auf der Targetoberfläche. Die Zielatome, die durch die Kollision von der Zieloberfläche entweichen, werden Sputteratome genannt und ihre Energie liegt im Bereich von 1 bis mehreren zehn Elektronenvolt. Die gesputterten Atome bilden einen Film auf der Oberfläche des Substrats. Im Gegensatz zur Aufdampfbeschichtung ist die Sputterbeschichtung nicht durch den Schmelzpunkt des Filmmaterials begrenzt, und der Sputterverbindungsfilm kann durch reaktives Sputtern verwendet werden. Der Isolierfilm kann durch Hochfrequenzsputtern abgeschieden werden. Das Substrat wird auf der geerdeten Elektrode montiert und das isolierende Target wird auf der gegenüberliegenden Elektrode montiert.
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