Reinigungsmethode und Gerätemethode einer Ultraschallreinigungsmaschine aus monokristallinem Silizium

Reinigungsmethode und Gerätemethode einer Ultraschallreinigungsmaschine aus monokristallinem Silizium

Mit der Entwicklung der Halbleitermaterialtechnologie werden auch höhere Anforderungen an die Spezifikation und Qualität von Siliziumwafern gestellt. Die Marktnachfrage nach Siliziumwafern mit großem Durchmesser, die für die Mikrobearbeitung geeignet sind, wird zunehmend zunehmen. Halbleiter, Chip, integrierte Schaltung, Design, Layout, Chip, Herstellung und Prozess. Derzeit werden weltweit weit verbreitet fortschrittliche Schneid-, Schleif-, Polier- und saubere Verpackungsprozesse eingesetzt, was zu erheblichen Fortschritten in der Produktionstechnologie führt. Mit der Einführung der neuesten Spitzentechnologie sind auch die Testproduktion und die Entwicklung von Hochleistungschips wie SOI in die Phase der Massenproduktion eingetreten. Als Reaktion darauf haben die Hersteller von Siliziumwafern auch ihre Investitionen in Ausrüstung für 300-mm-Siliziumwafer erhöht, um die Designregeln weiter zu verfeinern. Mithilfe der Ultraschall-Reinigungstechnologie pendelt die Ultraschallfrequenz während des Reinigungsprozesses innerhalb eines angemessenen Bereichs hin und her und treibt die Reinigungsflüssigkeit an, um einen subtilen Rückfluss zu bilden. Dadurch kann der Schmutz des Werkstücks während des Ultraschallschälens schnell von der Werkstückoberfläche entfernt werden, was die Reinigung verbessert Effizienz.

Reinigungsmethode und Gerätemethode

Legen Sie die gewaschenen und gemahlenen Siliziumwafer horizontal auf den zaunförmigen Quarzstabrahmen über dem Boden des Reinigungstanks. Unter der Bedingung, dass ein hoher Anteil an entionisiertem Wasser und ein kontinuierlicher Durchfluss im Reinigungstank gewährleistet sind, verwenden Sie zum Reinigen einen Ultraschallvibrator am Boden des Reinigungstanks. Die Ultraschallfrequenz beträgt 40KHz. Drehen Sie die gemahlenen Siliziumwafer alle 5 Minuten um und fahren Sie mit dem Überwaschen fort, bis keine schwarzen Schadstoffe mehr von der Oberfläche der gemahlenen Siliziumwafer austreten, die übergewaschen werden.

Die Bodenwand des monokristallinen Siliziumrahmens im Gerät ist ein zaunförmiger Quarzstab, und der gesamte Rahmen wird im Reinigungstank durch Stützfüße gestützt. Nach der vertikalen und horizontalen Superwäsche der vorliegenden Erfindung wird das Problem lokaler Reinigungsschwierigkeiten aufgrund des ungleichen Abstands zwischen dem Siliziumwafer und der Ultraschallquelle und der leichten Ansammlung von Schadstoffen im unteren Teil der Siliziumoberfläche gelöst Wafer. Es beseitigt auch das Phänomen, dass der weiche Blumenkorb aus Polytetrafluormaterial, der den Siliziumwafer trägt, die Übertragung der Ultraschallwellenquelle absorbieren und blockieren kann, was dazu führt, dass lokale Bereiche auf der Oberfläche des Siliziumwafers unsauber werden.

www.superbheater.com